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制造与效劳

新利18(中国区)官方网站0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G
新利18(中国区)官方网站0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G

 

新利18(中国区)官方网站 Overview

        公司0.18um工艺是基于客户关于Fab兼容目的而开发可普遍应用的工艺 。。。。。。。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V 电压IO device，，，，，， 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可利便客户电路设计 。。。。。。。

Shrunk工艺可以有用的降低客户本钱，，，，，，同时Shrunk工艺的器件特征同不Shrunk工艺很是靠近 。。。。。。。公司 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, 公司 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺 。。。。。。。
公司0.18um工艺提供OTP/MTP工艺，，，，，，OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容，，，，，，不需要特殊增添光刻条理 。。。。。。。

 

新利18(中国区)官方网站 Key Features

    0.18G
 Core Voltage  Typical 1.8V
 Core Device  Typical VT √
 Low VT √
 IO Device  3.3V √
 5V √
 SRAM BItcell(um2)   4.65


新利18(中国区)官方网站 0.18um Process Family

    0.18G
 Special Process  Mix √
 RF √
 OTP/MTP √
 Design  Technical File √
 PDK √
 IP/Library √

 


 

新利18(中国区)官方网站 0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V) 

 

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        公司提供的0.18μm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则，，，，，，为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决计划 。。。。。。。

 

新利18(中国区)官方网站 Key Features 
- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options
- Full Design Kit support with PDK\CMD\library

 

新利18(中国区)官方网站 Application 
- DC-DC
- LED display
- Audio amplifier
- MCU


 

新利18(中国区)官方网站 0.18μm e-Flash

 

新利18(中国区)官方网站 Overview  
        公司提供的0.18μm e-Flash工艺兼容0.18um logic工艺，，，，，，提供业界具有竞争力的闪存IP，，，，，，高可靠性，，，，，，低功耗和低本钱，，，，，，为智能卡、种种屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决计划 。。。。。。。

 

新利18(中国区)官方网站 Key Features 
- Double polys, support 4~6 top metal options
- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library

 

新利18(中国区)官方网站 Application 
- Smart card
- Touch-screen controller
- MCU

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